2019年12月4日17时10分
国际著名半导体器件物理学家、微电子学家、
中国科学院院士、电子科大教授陈星弼
因病医治无效
在四川成都逝世
享年89岁
陈星弼院士
1931年1月殒命于上海
1952年卒业于国立同济大学电机系
先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研讨所任务
1956年最早在电子科技大学任教
1999年入选中国科学院院士
他是国际半导体界着名的超结组织（Super Junction）的发现人
该发明被称为“功率器件的新里程碑”
其美国缔造专利已被超越550个国际专利援用。
2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名流堂，成为外洋首位入选名流堂的华人科学家。
因对我国功率半导体范畴的突出进献，陈星弼西席于1999年中选为中国科学院院士。
因对高压功率MOSFET理论和筹画的逊色进献，他于2015年5月失去IEEE ISPSD大会揭橥的最高诺言“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地域首位获此殊荣的科学家。
2018年5月，因发白的超结器件成为外洋首位入选IEEE ISPSD首届环球32位名人堂的科学家。
陈星弼教员是我国第一批进修及混于半导体科技的职员之一，是电子家当部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师。
他是国际驰名的半导体器件物理学家、微电子学家，是国际半导体界着名的超结构造（Super Junction）的发现人，也是国际上功率器件的结终端实践的集大成者。
