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南大光电技术突破,中国或将摆脱光刻胶依赖

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南大光电技术突破,中国或将摆脱光刻胶依赖

芯片竞争已经来到了白热化的程度,是能掌握最先进的技术便能获得无数的财富。而无法制作高精尖芯片一直是中国半导体产业的顽疾,但在最近南大光电却实现了关键技术的突破,打破日企的垄断,令国产芯片崛起成为可能!

那么南大光电究竟实现了怎样的技术突破?又是如何打破这一技术壁垒的?未来的中国半导体产业将朝着怎样的方向发展呢?

 

一、芯片生产必需品:光刻胶

众所周知,光刻机是芯片生产必不可少的工具。因为随着摩尔定律发展到极限,如何在有限的硅基芯片上排列精可能多的晶体管,成为芯片发展进步的根本因素。而由于技术精度非常高,甚至都是以纳米为单位,导致寻常的工序并不能操作,只能采用光刻技术。

 

但是就算是光刻也不能实现现如今需要的波长,因此就需要光刻机来对波长进行缩短,虽然光刻机的制造以及工作原理是物理工程,但想要刻在芯片上则需要光刻胶发生反应,这便涉及化学工程。光刻胶同样是芯片制作必不可少的一部工序,但是中国同样不具备生产的能力。

日本是老牌的芯片强国,上世纪七十年代开始便为美国进行芯片代工,是光刻胶领域的权威国家,掌握着众多高浓度高标准的光刻胶制作工艺。日本企业东京应化、日本合成橡胶占据了全球超过85%的光刻胶市场份额,中国每年都要花费大价钱向其进口。

 

二、南大光电技术突破,中国或将摆脱光刻胶依赖

而近几年半导体领域的现实案例告诉我们,只有自身掌握了核心技术,才能避免被卡脖子。因此中国企业在光刻胶领域进行了大量的投资,并且取得了不错的成绩。

而根据最新的媒体公告显示,我国的光刻机半导体巨头企业南大光电,实现了ArF光刻胶的技术突破。该光刻胶对于我国半导体产业来说可谓是雪中送炭,因为ArF光刻胶在55nm、14nm制程方面具备广阔的应用前景。

 

光刻胶可以被涂抹在晶圆体上,不仅能够保护底座,还能够令光刻机成像更为清晰。从而大大提高芯片生产的良品率,可以说是光刻机生产芯片效果是否良好的决定性因素之一。而目前我国的芯片制造工艺也刚好在14nm左右,因此南大光电ArF光刻胶能够被立刻应用,加速中国半导体产业独立。

虽然南大光电实现了技术突破,但是仍旧具备市场推广的难题。因为国外的光刻胶更为成熟,成本也更低,因此南大光电的光刻胶如何向半导体产业的下游进行推广,或将遇到一部分阻碍。但是现如今的中国企业大多认识到技术自主的重要性,相信相关部门也会对其作出相应扶持。

那么南大光电实现了光刻胶的技术突破,这对于我国的半导体产业发展将起到怎样的作用呢?

 

三、中国半导体产业的发展未来

三年前中国半导体产业的制造水平还拘泥于28nm,但是如今以中芯国际等企业技术水平不断进步,已经实现了14nm芯片的量产,并且保持了较高的良品率。虽然中国买不到先进的光刻机,但是中国企业实现了中低端半导体产业的独立自主。

去年全球半导体公司发展最快的20强中,19家都是中国面孔,由此可见,中国半导体产业稳中向好,具备广阔的发展前景以及潜力。虽然EUV光刻机、EDA软件甚至是光刻胶,都可能在未来被限制进口,但是中国已经具备了自力更生的底气。

 

中国14nm制程芯片制造能力,完全能够满足全产业线的所有要求,就连这些年日益火爆的新能源电动车以及智能家居,也不需要高精度的半导体芯片,中国又实现了光刻胶的技术突破,半导体产业稳中向好。但是美国却因为中国砍单造成了芯片积压,未来美国或许比中国还要着急。

光刻胶是芯片制作过程中不可或缺的一步,但是中国半导体产业并不成熟,大量依赖日本进口,但随着南大光电的技术突破,未来中国或将实现光刻胶独立自主。而中国半导体产业稳中向好,正朝着更好的方向发展。